İlk GAA Transistörler: Samsung, 3nm Üretimine Başlıyor

**KoJiRo** · 02 Temmuz 2022, 08:34

Samsung, Gate-All-Around (GAA) işlem tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 azaltılmış güç kullanımı, %23 geliştirilmiş performans ve %16 daha küçük yüzey alanı sağlayacak. İkinci nesil 3nm işleminde ise bu değerler sırasıyla %50, %30 ve %35’e yükseltilecek.

FinFET için sınırların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, ilk kez uygulanan GAA teknolojisi olan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ile birlikte performans sınırları aşmayı hedefliyor. Yeni teknikle birlikte besleme voltajı seviyesi azaltılırken güç verimliliği bir üst noktaya çıkıyor. Aynı zamanda sürücü akımı kapasitesiyle birlikte performans da artıyor.

Samsung, 3GAE çok yönlü alan etkili transistörlerini (GAAFET’ler) çok köprülü kanal alan etkili transistörler (MBCFET’ler) olarak markalıyor. Transistörlerin düşük kaçak akımı, kapı şimdi dört taraftan kanal tarafından çevrelendiğinden dolayı kilit özelliklerden biri olarak ön plana çıkıyor. Diğer bir avantaj ise kanallarda kalınlığın performansı artırmak ve güç tüketimini azaltmak için düzenlenebilir halde olması.

‘İlk üretim’ terimi farklı yorumlanabilir. Özetle, yarı iletken devi şu anda seri üretimin erken bir başlangıç aşamasında. Ancak her ne olursa olsun, Samsung Foundry, resmi olarak gate-all-around (GAA) transistörlere sahip dünyanın ilk çip üreticisi olarak markalaştırılabilir.

Technopat

02 Temmuz 2022, 08:34	#1
Çevrimiçi KoJiRo	İlk GAA Transistörler: Samsung, 3nm Üretimine Başlıyor İlk GAA Transistörler: Samsung, 3nm Üretimine Başlıyor Www.TrendForum.Net Samsung, Gate-All-Around (GAA) işlem tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 azaltılmış güç kullanımı, %23 geliştirilmiş performans ve %16 daha küçük yüzey alanı sağlayacak. İkinci nesil 3nm işleminde ise bu değerler sırasıyla %50, %30 ve %35’e yükseltilecek. FinFET için sınırların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, ilk kez uygulanan GAA teknolojisi olan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ile birlikte performans sınırları aşmayı hedefliyor. Yeni teknikle birlikte besleme voltajı seviyesi azaltılırken güç verimliliği bir üst noktaya çıkıyor. Aynı zamanda sürücü akımı kapasitesiyle birlikte performans da artıyor. Samsung, 3GAE çok yönlü alan etkili transistörlerini (GAAFET’ler) çok köprülü kanal alan etkili transistörler (MBCFET’ler) olarak markalıyor. Transistörlerin düşük kaçak akımı, kapı şimdi dört taraftan kanal tarafından çevrelendiğinden dolayı kilit özelliklerden biri olarak ön plana çıkıyor. Diğer bir avantaj ise kanallarda kalınlığın performansı artırmak ve güç tüketimini azaltmak için düzenlenebilir halde olması. ‘İlk üretim’ terimi farklı yorumlanabilir. Özetle, yarı iletken devi şu anda seri üretimin erken bir başlangıç aşamasında. Ancak her ne olursa olsun, Samsung Foundry, resmi olarak gate-all-around (GAA) transistörlere sahip dünyanın ilk çip üreticisi olarak markalaştırılabilir. Technopat __________________ İmzalardaki bağlantıları veya görselleri görüntülemek için gönderi sayınızın 10 veya daha fazla olması gerekir.

Benzer Konular
Konu	Konuyu Başlatan	Forum	Yanıtlar	Son Mesaj
Samet ve Tayyip pazarlığı başlıyor	KoJiRo	Beşiktaş	0	28 Haziran 2022 20:48
Steam Yaz İndirimleri 23 Haziran’da Başlıyor	KoJiRo	Oyun Haberleri	0	22 Haziran 2022 21:49
Genç Kızlar Türkiye Şampiyonası Gaziantep'te Başlıyor	KoJiRo	Voleybol	0	04 Haziran 2022 19:20
İki yıl aradan sonra Davos Zirvesi başlıyor	KoJiRo	Ekonomi Dünyası	0	22 Mayıs 2022 17:50
Bahçeşehir Üniversitesi ve İTÜ’nün Düzenlediği CS GOALS, 25 Mayıs’ta Başlıyor	KoJiRo	Bilim Dünyasından Haberler	0	22 Mayıs 2022 17:26

Şu anda bu konuyu görüntüleyen etkin kullanıcılar: 1 (0 üye ve 1 konuk)